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Kristalle
Al2O3 Aluminumoxid (Saphir)
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
max. Ø 3"ZüchtungsverfahrenKyropoulos
Orientierung(11-20) a-cut
(1-102) r-cut
(10-10) m-cut
(0001) c-cutDotierungundotiert, Cr, Ti
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturHexagonal (Korund)
Gitterkonstantea = 0,476 nm
c = 1,299Schmelztemperatur2040 °C
Dichte3,98 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient7,5 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante9,40 @ a-Achse
11,58 @ c-AchseBaTiO3 Bariumtitanat
Maße5 mm × 5 mm × 0,5 mm
10 mm × 10 mm × 0,5 mmZüchtungsverfahrenTop Seeded Solution Growth
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturTetragonal (9 °C < T < 130,5 °C)
Perowskit-StrukturtypGitterkonstantea = 0,399 nm
c = 0,404 nmSchmelztemperatur1600 °C
Dichte6,02 g/cm3
Dielektrizitätskonstanteεa = 3700, εc = 135 (frei)
εa = 2400, εc = 60 (geklemmt)Brechungsindexn0 = 2,416 @ 632,8 nm
ne = 2,363 @ 632,8 nmHärte5 M
CdTe Cadmiumtellurid
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
ZüchtungsverfahrenPhysical Vapor Transport
Orientierung(100)
(110)
(111)Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,648 nm
Schmelztemperatur1091 °C
Dichte5,85 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient5,9 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante11,1 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit6,2 W cm-1 K-1 @ 300 K
Elektronenbeweglichkeit700 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke1,56 eV
CdSe Cadmiumselenid
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
ZüchtungsverfahrenPhysical Vapor Transport
Orientierung(0001)
(11-20)
(10-10)Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturHexagonal
Gitterkonstantea = 0,429 nm
c = 0,702 nmSchmelztemperatur1268 °C
Dichte5,81 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient6,26 × 10-6 K-1 @ a-Achse
4,28 × 10-6 K-1 @ c-AchseDielektrizitätskonstante10,2 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit0,04 W cm-1 K-1 @ 300 K
Elektronenbeweglichkeit900 cm2 V-1 s-1 @ 300 K
Bandlücke1,74 eV
Ge Germanium
MaßeØ 2" - 4"
ZüchtungsverfahrenCzochralski
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundoped, In, Ga, Sb
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,567 nm
Schmelztemperatur937,4 °C
Dichte5,323 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient2,6 × 10-6K-1
Bandlücke0,67 eV
InP Indiumphosphid
MaßeØ 2" - 3"
ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert, Sn, S, Fe, Zn
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch (Zinkblende)
Gitterkonstantea = 0,587 nm
Schmelztemperatur1060 °C
Dichte4,81 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient4,60 × 10-6K-1
Dielektrizitätskonstante12,5 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit0,68 W cm-1K-1
Elektronenbeweglichkeit≤ 5400 cm2 V-1s-1@ 300 K
Bandlücke1,344 eV
InSb Indiumantimonid
MaßeØ 2" - 3"
ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert, Ge, Te
Oberfläche1-seitig poliert
StrukturKubisch (Zinkblende)
Gitterkonstantea = 0,648 nm
Schmelztemperatur527 °C
Dichte5,77 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient5,37 × 10-6K-1
Dielektrizitätskonstante16,8 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit0,18 W cm-1K-1
Elektronenbeweglichkeit7,7×104cm2 V-1s-1@ 300 K
Bandlücke0,17 eV
LaAlO3 Lanthanaluminat
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
max. Ø 3"ZüchtungsverfahrenCzochralski
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturRhomboedrisch (Pseudo-Kubisch)
Gitterkonstantea = 0,382 nm
α = 90,5 °Schmelztemperatur2100 °C
Dichte6,52 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient9,2 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante24,5
Härte6,5 M
LSAT LSAT
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
max. Ø 2"ZüchtungsverfahrenCzochralski
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,387 nm
Schmelztemperatur1840 °C
Dichte6,74 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient10 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante~ 22
Härte6,5 M
MgAl2O4 Magnesiumaluminat
MaßeØ 35 mm × 60 mm
ZüchtungsverfahrenCzochralski
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,808 nm
Schmelztemperatur2130 °C
Dichte3,64 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient7,45 × 10-6 K-1
Brechungsindex1,69 @ 1500 nm
Härte8 M
MgO Magnesiumoxid
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
Ø 2" × 0,5 mmZüchtungsverfahrenArc Melting
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,422 nm
Schmelztemperatur2852 °C
Dichte3,58 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient12,8 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante9,8
Brechungsindex1,6216 @ 5,4 µm
Härte5,5 - 6 M
PMN-PT PMN-PT
Maße10 mm × 10 mm × 1 mm
max. Ø 50 mm × 30 mmZüchtungsverfahrenBridgman (modifiziert)
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturRhombohedrisch (Pseudo-Kubisch)
Gitterkonstantea = 0,402 nm
Schmelztemperatur1280 °C
Dichte8,1 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient9,5 × 10-6 K-1 (PT = 0,27 - 0,30)
> 10 × 10-6 K-1 (PT = 0,30 - 0,33)Dielektrizitätskonstante4000 - 6000 @ 1kHz
Brechungsindex1,6216 @ 5,4 µm
Si Silizium
MaßeØ 2" - 6" (max. Ø 8")
ZüchtungsverfahrenCzochralski / Float-Zone
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundoped, B, P, As, Sb
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,543 nm
Schmelztemperatur1414 °C
Dichte2,329 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient5,7 × 10-6K-1
Bandlücke1,1 eV
SiO2 Siliziumdioxid (Quarz)
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
max. Ø 4"ZüchtungsverfahrenHydrothermal
Orientierungx-, y-, z-cut
30 ° < α < 42,7 °Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturHexagonal
Gitterkonstantea = 0,491 nm
c = 0,541 nmSchmelztemperatur1610 °C
Dichte2,684 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizientα11 = 13,71 × 10-6 K-1
α33 = 7,480 × 10-6 K-1Brechungsindex1,52 @ 2,0531 µm
Härte7 M
SrTiO3 Strontiumtitanat
Maße 5 mm × 5 mm × 0,5 mm
10 mm × 10 mm × 0,5 mm
max. Ø 30 mmZüchtungsverfahrenVerneuil
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert, Nb, Fe
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,3905 nm (Perowskit)
Schmelztemperatur2080 °C
Dichte5,175 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient10,4 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante300 @ 300 K
Brechungsindex2,25093 @ 2,48 µm
Härte6 M
TiO2 Titandioxid
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
max. Ø 30 mm
als Substrate oder PrismenZüchtungsverfahrenFloat-Zone
Orientierung(001)
(110)Dotierungundotiert
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturTetragonal (Rutil)
Gitterkonstantea = 0,459 nm
c = 0,296 nmSchmelztemperatur1840 °C
Dichte4,26 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient7,14 × 10-6 K-1 @ a-Achse
9,19 × 10-6 K-1 @ c-AchseDielektrizitätskonstante190 @ a-Achse
85 @ c-AchseBrechungsindexn0 = 2,47 @ 1,3 μm
ne = 2,73 @ 1,3 μmHärte7 M
YAlO3 Yttrium-Aluminium-Oxid
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
max. Ø 30 mm × 50 mmZüchtungsverfahrenCzochralski
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturOrthorhombisch
Gitterkonstantea = 0,518 nm
b = 0,533 nm
c = 0,737 nmSchmelztemperatur1870 °C
Dichte4,88 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient2 - 10 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante16 - 20
Härte8 M
YSZ Yttrium-Stabilisiertes Zirkonoxid
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
Ø 2" × 0,5 mmZüchtungsverfahrenArc Melting
Orientierung(100)
(110)
(111)Dotierungundotiert
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
Zusammensetzung8 bzw. 13 mol% Y2O3
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,512 nm
Schmelztemperatur2500 °C
Dichte5,8 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient10,3 × 10-6 K-1
Dielektrizitätskonstante27
Härte~ 8 M
ZnO Zinkoxid
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
max. 20 mm × 20 mm × 10 mmZüchtungsverfahrenHydrothermal
Orientierung(0001)
Dotierungundotiert, Ga
Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturHexagonal
Gitterkonstantea = 0,332 nm
c = 0,521 nmSchmelztemperatur1975 °C
Dichte5,60 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient2,9 × 10-6 K-1
Brechungsindexn0 = 1,89 @ 4 μm
ne = 1,91 @ 4 μmHärte4 M
ZnSe Zinkselenid
Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
ZüchtungsverfahrenPhysical Vapor Transport
Orientierung(100)
(110)
(111)Oberfläche1- / 2-seitig poliert
StrukturKubisch
Gitterkonstantea = 0,567 nm
Schmelztemperatur1517 °C
Dichte5,264 g/cm3
Wärmeausdehnungskoeffizient7,1 × 10-6K-1
Dielektrizitätskonstante9,7 @ 300 K
Wärmeleitfähigkeit13 W cm-1K-1@ 300 K
Elektronenbeweglichkeit500 cm2 V-1s-1@ 300 K
Bandlücke2,82 eV
Targets
Al2O3 Aluminiumoxid
Maße99,9 - 99,99 %
Züchtungsverfahren3,97
Orientierung2042
AZO Aluminium-Zink-Oxid
Reinheit99,9 - 99,999 %
BaTiO3 Bariumtitanat
Reinheit99,9 - 99,99 %
Dichte (g/cm³)6,02
Schmelztemperatur (°C)1625
BaZrO3 Bariumzirkonat
Reinheit99,9 - 99,99 %
Dichte (g/cm³)5,52
Schmelztemperatur (°C)2500
IGZO Indium-Gallium-Zink-Oxid
Reinheit99,99 %
ITO Indium-Zinn-Oxid
Reinheit99,99 - 99,999 %
LSCO Lanthan-Strontium-Cobalt-Oxid
Reinheit99,9 - 99,99 %
LSMO Lanthan-Strontium-Manganit
Reinheit99,9 - 99,99 %
PZT Blei-Zirkonat-Titanat
Reinheit99,9 - 99,99 %
SrRuO3 Strontiumruthenat
Reinheit99,9 - 99,99 %
V2O5 Vanadium (V) -oxid
Reinheit99,9 - 99,99 %
Dichte (g/cm³)3,36
Schmelztemperatur (°C)690
ZnS Zinksulfid
Reinheit99,9 - 99,99 %
Dichte (g/cm³)4,09
Schmelztemperatur (°C)1830
ZnSe Zinkselenid
Reinheit99,9 - 99,99 %
Dichte (g/cm³)5,27
Schmelztemperatur (°C)1525
Zubehör
MB3816 Membran Box 34 × 34
Artikel-Nr. Maße
(Membran) [mm]Maße
(außen) [mm]Mindest-
bestellmengeMB3816 34 × 34 38 × 38 × 16 MB5525 Membran Box 43 × 43
Artikel-Nr. Maße
(Membran) [mm]Maße
(außen) [mm]Mindest-
bestellmengeMB5525 43 × 43 55 × 55 × 25 MB10050 Membran Box 81 × 81
Artikel-Nr. Maße
(Membran) [mm]Maße
(außen) [mm]Mindest-
bestellmengeMB10050 81 × 81 100 × 100 × 50 MB150100 Membran Box 125 × 125
Artikel-Nr. Maße
(Membran) [mm]Maße
(außen) [mm]Mindest-
bestellmengeMB150100 125 × 125 150 × 150 × 100 GB5510A Gel Box – 55 × 55 × 10
Artikel-Nr. Maße
(innen) [mm]Maße
(außen) [mm]Tiefe
(oben/unten) [mm]Farbe Mindest-
bestellmengeGB5510A 51 × 51 × 7 55 × 55 × 10 5 / 5 klar / schwarz / gemischt GB7515 Gel Box – 75 × 55 × 15
Artikel-Nr. Maße
(innen) [mm]Maße
(außen) [mm]Tiefe
(oben/unten) [mm]Farbe Mindest-
bestellmengeGB7515 72 × 51 × 12 75 × 55 × 15 7,5 / 7,5 klar / schwarz / gemischt GB8512 Gel Box – 85 × 85 × 12
Artikel-Nr. Maße
(innen) [mm]Maße
(außen) [mm]Tiefe
(oben/unten) [mm]Farbe Mindest-
bestellmengeGB8512 81 × 81 × 8,5 85 × 85 × 12 6 / 6 klar / schwarz / gemischt WTS1 Wafer Träger Ø 1
Artikel-Nr. Maße
(Wafer) [Zoll]Maße
(außen) [mm]Anzahl
der WaferFarbe Mindest-
bestellmengeWTS1 Ø 1 Ø 33 × 10 1 halbdurchsichtig WTS2 Wafer Träger Ø 2
Artikel-Nr. Maße
(Wafer) [Zoll]Maße
(außen) [mm]Anzahl
der WaferFarbe Mindest-
bestellmengeWTS2 Ø 2 Ø 60 × 11 1 halbdurchsichtig WTS4 Wafer Träger Ø 4
Artikel-Nr. Maße
(Wafer) [Zoll]Maße
(außen) [mm]Anzahl
der WaferFarbe Mindest-
bestellmengeWTS4 Ø 4 Ø 110 × 12 1 halbdurchsichtig
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