Sie wollen eine aufwendige Mehrschichtstruktur entwickeln und untersuchen, aber Ihnen stehen nicht genügend Zeit oder Ressourcen zur Verfügung? Lassen Sie uns das Problem für Sie lösen.
Mit Hilfe von gut etablierten PVD/CVD Prozessen und langjährigen Erfahrungen in der Dünnschichtabscheidung bietet Alineason eine Reihe von wichtigen Materialien als epitaktische Schichten mit höchster Qualität. Somit werden Sie von den unbedeutenden Aufgaben entlastet und Sie können sich auf die wichtigsten Themen konzentrieren.
Kategorie Spezifikationen
- Schichtenfolge und Schichtdicke können von Kunden bestimmt werden
- Zusammensetzung der Mischsysteme ist kontinuierlich skalierbar
- Abscheidung auf leitfähiger Zwischenschicht möglich
- Materialien oder Spezifikationen über die Standardangebote hinaus bitte auf Anfrage
Gruppe | Material | Methode | Substrat | Maße |
Verbindungshalbleiter | Arsenide: GaAs, AlGaAs, GaInAs Phosphide: InP, GaInP Nitride: GaN, AlN | MBE / MOVPE | GaAs AlN Sapphire | Ø 2 – 4″ Wafer |
Lanthan-haltige Oxide | LaxCa1-xMnO3 LaxSr1-xMnO3 LaxSr1-xCoO3 LaxSr1-xSnO3 | PLD | SrTiO3 LSAT NdGaO3 | 5 × 5 mm2 5 × 10 mm2 10 × 10 mm2 |
Dielektrika / Ferroelektrika | BaTiO3, SrTiO3, BaxSr1-xTiO3 PbTiO3, PbZrO3, PbZrxTi1-xO3 BiFeO3 | PLD | SrTiO3 LSAT MgO NdGaO3 | 5 × 5 mm2 5 × 10 mm2 10 × 10 mm2 |