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Kristalle

  • Al Aluminium

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mmm

    ZüchtungsverfahrenBridgman

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Oberfläche1-seitig poliert

    StrukturKubisch (FCC)

    Gitterkonstantea = 0,405 nm

    Schmelztemperatur660 °C

    Dichte2,70 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient23,1 × 10-6 K-1

    Wärmeleitfähigkeit237 W cm-1 K-1

    Härte2,75 M

    Spezifische Widerstand28,2 nΩ m @ 20 °C

  • Al2O3 Aluminumoxid (Saphir)

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
    max. Ø 3"

    ZüchtungsverfahrenKyropoulos

    Orientierung(11-20) a-cut
    (1-102) r-cut
    (10-10) m-cut
    (0001) c-cut

    Dotierungundotiert, Cr, Ti

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturHexagonal (Korund)

    Gitterkonstantea = 0,476 nm
    c = 1,299

    Schmelztemperatur2040 °C

    Dichte3,98 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient7,5 × 10-6 K-1

    Dielektrizitätskonstante9,40 @ a-Achse
    11,58 @ c-Achse

  • BaTiO3 Bariumtitanat

    Hinzufügen

    Maße5 mm × 5 mm × 0,5 mm
    10 mm × 10 mm × 0,5 mm

    ZüchtungsverfahrenTop Seeded Solution Growth

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturTetragonal (9 °C < T < 130,5 °C)
    Perowskit-Strukturtyp

    Gitterkonstantea = 0,399 nm
    c = 0,404 nm

    Schmelztemperatur1600 °C

    Dichte6,02 g/cm3

    Dielektrizitätskonstanteεa = 3700, εc = 135 (frei)
    εa = 2400, εc = 60 (geklemmt)

    Brechungsindexn0 = 2,416 @ 632,8 nm
    ne = 2,363 @ 632,8 nm

    Härte5 M

  • CdTe Cadmiumtellurid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm

    ZüchtungsverfahrenPhysical Vapor Transport

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,648 nm

    Schmelztemperatur1091 °C

    Dichte5,85 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient5,9 × 10-6 K-1

    Dielektrizitätskonstante11,1 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit6,2 W cm-1 K-1 @ 300 K

    Elektronenbeweglichkeit700 cm2 V-1 s-1 @ 300 K

    Bandlücke1,56 eV

  • CdSe Cadmiumselenid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm

    ZüchtungsverfahrenPhysical Vapor Transport

    Orientierung(0001)
    (11-20)
    (10-10)

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturHexagonal

    Gitterkonstantea = 0,429 nm
    c = 0,702 nm

    Schmelztemperatur1268 °C

    Dichte5,81 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient6,26 × 10-6 K-1 @ a-Achse
    4,28 × 10-6 K-1 @ c-Achse

    Dielektrizitätskonstante10,2 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit0,04 W cm-1 K-1 @ 300 K

    Elektronenbeweglichkeit900 cm2 V-1 s-1 @ 300 K

    Bandlücke1,74 eV

  • Cu Kupfer

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm

    ZüchtungsverfahrenBridgman

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Oberfläche1-seitig poliert

    StrukturKubisch (FCC)

    Gitterkonstantea = 0,361 nm

    Schmelztemperatur1083 °C

    Dichte8,96 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient16,5 × 10-6 K-1

    Wärmeleitfähigkeit401 W cm-1 K-1

    Härte3 M

    Spezifische Widerstand16,78 nΩ m @ 20 °C

  • Ge Germanium

    Hinzufügen

    MaßeØ 2" - 4"

    ZüchtungsverfahrenCzochralski

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundoped, In, Ga, Sb

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,567 nm

    Schmelztemperatur937,4 °C

    Dichte5,323 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient2,6 × 10-6K-1

    Bandlücke0,67 eV

  • InP Indiumphosphid

    Hinzufügen

    MaßeØ 2" - 3"

    ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert, Sn, S, Fe, Zn

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch (Zinkblende)

    Gitterkonstantea = 0,587 nm

    Schmelztemperatur1060 °C

    Dichte4,81 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient4,60 × 10-6K-1

    Dielektrizitätskonstante12,5 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit0,68 W cm-1K-1

    Elektronenbeweglichkeit 5400 cm2 V-1s-1@ 300 K

    Bandlücke1,344 eV

  • InSb Indiumantimonid

    Hinzufügen

    MaßeØ 2" - 3"

    ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert, Ge, Te

    Oberfläche1-seitig poliert

    StrukturKubisch (Zinkblende)

    Gitterkonstantea = 0,648 nm

    Schmelztemperatur527 °C

    Dichte5,77 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient5,37 × 10-6K-1

    Dielektrizitätskonstante16,8 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit0,18 W cm-1K-1

    Elektronenbeweglichkeit7,7×104cm2 V-1s-1@ 300 K

    Bandlücke0,17 eV

  • LaAlO3 Lanthanaluminat

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
    max. Ø 3"

    ZüchtungsverfahrenCzochralski

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturRhomboedrisch (Pseudo-Kubisch)

    Gitterkonstantea = 0,382 nm
    α = 90,5 °

    Schmelztemperatur2100 °C

    Dichte6,52 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient9,2 × 10-6 K-1

    Dielektrizitätskonstante24,5

    Härte6,5 M

  • LSAT LSAT

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
    max. Ø 2"

    ZüchtungsverfahrenCzochralski

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,387 nm

    Schmelztemperatur1840 °C

    Dichte6,74 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient10 × 10-6 K-1

    Dielektrizitätskonstante~ 22

    Härte6,5 M

  • MgAl2O4 Magnesiumaluminat

    Hinzufügen

    MaßeØ 35 mm × 60 mm

    ZüchtungsverfahrenCzochralski

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,808 nm

    Schmelztemperatur2130 °C

    Dichte3,64 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient7,45 × 10-6 K-1

    Brechungsindex1,69 @ 1500 nm

    Härte8 M

  • MgO Magnesiumoxid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
    Ø 2" × 0,5 mm

    ZüchtungsverfahrenArc Melting

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,422 nm

    Schmelztemperatur2852 °C

    Dichte3,58 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient12,8 × 10-6 K-1

    Dielektrizitätskonstante9,8

    Brechungsindex1,6216 @ 5,4 µm

    Härte5,5 - 6 M

  • PMN-PT PMN-PT

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 1 mm
    max. Ø 50 mm × 30 mm

    ZüchtungsverfahrenBridgman (modifiziert)

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturRhombohedrisch (Pseudo-Kubisch)

    Gitterkonstantea = 0,402 nm

    Schmelztemperatur1280 °C

    Dichte8,1 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient9,5 × 10-6 K-1 (PT = 0,27 - 0,30)
    > 10 × 10-6 K-1 (PT = 0,30 - 0,33)

    Dielektrizitätskonstante4000 - 6000 @ 1kHz

    Brechungsindex1,6216 @ 5,4 µm

  • Si Silizium

    Hinzufügen

    MaßeØ 2" - 6" (max. Ø 8")

    ZüchtungsverfahrenCzochralski / Float-Zone

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundoped, B, P, As, Sb

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,543 nm

    Schmelztemperatur1414 °C

    Dichte2,329 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient5,7 × 10-6K-1

    Bandlücke1,1 eV

  • SiO2 Siliziumdioxid (Quarz)

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
    max. Ø 4"

    ZüchtungsverfahrenHydrothermal

    Orientierungx-, y-, z-cut
    30 ° < α < 42,7 °

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturHexagonal

    Gitterkonstantea = 0,491 nm
    c = 0,541 nm

    Schmelztemperatur1610 °C

    Dichte2,684 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizientα11 = 13,71 × 10-6 K-1
    α33 = 7,480 × 10-6 K-1

    Brechungsindex1,52 @ 2,0531 µm

    Härte7 M

  • SrTiO3 Strontiumtitanat

    Hinzufügen

    Maße 5 mm × 5 mm × 0,5 mm
    10 mm × 10 mm × 0,5 mm
    max. Ø 30 mm

    ZüchtungsverfahrenVerneuil

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert, Nb, Fe

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,3905 nm (Perowskit)

    Schmelztemperatur2080 °C

    Dichte5,175 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient10,4 × 10-6 K-1

    Dielektrizitätskonstante300 @ 300 K

    Brechungsindex2,25093 @ 2,48 µm

    Härte6 M

  • TiO2 Titandioxid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
    max. Ø 30 mm
    als Substrate oder Prismen

    ZüchtungsverfahrenFloat-Zone

    Orientierung(001)
    (110)

    Dotierungundotiert

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturTetragonal (Rutil)

    Gitterkonstantea = 0,459 nm
    c = 0,296 nm

    Schmelztemperatur1840 °C

    Dichte4,26 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient7,14 × 10-6 K-1 @ a-Achse
    9,19 × 10-6 K-1 @ c-Achse

    Dielektrizitätskonstante190 @ a-Achse
    85 @ c-Achse

    Brechungsindexn0 = 2,47 @ 1,3 μm
    ne = 2,73 @ 1,3 μm

    Härte7 M

  • YAlO3 Yttrium-Aluminium-Oxid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
    max. Ø 30 mm × 50 mm

    ZüchtungsverfahrenCzochralski

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturOrthorhombisch

    Gitterkonstantea = 0,518 nm
    b = 0,533 nm
    c = 0,737 nm

    Schmelztemperatur1870 °C

    Dichte4,88 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient2 - 10 × 10-6 K-1

    Dielektrizitätskonstante16 - 20

    Härte8 M

  • YSZ Yttrium-Stabilisiertes Zirkonoxid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
    Ø 2" × 0,5 mm

    ZüchtungsverfahrenArc Melting

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    Zusammensetzung8 bzw. 13 mol% Y2O3

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,512 nm

    Schmelztemperatur2500 °C

    Dichte5,8 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient10,3 × 10-6 K-1

    Dielektrizitätskonstante27

    Härte~ 8 M

  • ZnO Zinkoxid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
    max. 20 mm × 20 mm × 10 mm

    ZüchtungsverfahrenHydrothermal

    Orientierung(0001)

    Dotierungundotiert, Ga

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturHexagonal

    Gitterkonstantea = 0,332 nm
    c = 0,521 nm

    Schmelztemperatur1975 °C

    Dichte5,60 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient2,9 × 10-6 K-1

    Brechungsindexn0 = 1,89 @ 4 μm
    ne = 1,91 @ 4 μm

    Härte4 M

  • ZnSe Zinkselenid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm

    ZüchtungsverfahrenPhysical Vapor Transport

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,567 nm

    Schmelztemperatur1517 °C

    Dichte5,264 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient7,1 × 10-6K-1

    Dielektrizitätskonstante9,7 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit13 W cm-1K-1@ 300 K

    Elektronenbeweglichkeit500 cm2 V-1s-1@ 300 K

    Bandlücke2,82 eV

Targets

  • Al2O3 Aluminiumoxid

    Hinzufügen

    Maße99,9 - 99,99 %

    Züchtungsverfahren3,97

    Orientierung2042

  • AZO Aluminium-Zink-Oxid

    Hinzufügen

    Reinheit99,9 - 99,999 %

  • BaTiO3 Bariumtitanat

    Hinzufügen

    Reinheit99,9 - 99,99 %

    Dichte (g/cm³)6,02

    Schmelztemperatur (°C)1625

  • BaZrO3 Bariumzirkonat

    Hinzufügen

    Reinheit99,9 - 99,99 %

    Dichte (g/cm³)5,52

    Schmelztemperatur (°C)2500

  • Bi Bismut

    Hinzufügen

    Reinheit99,9 - 99,999 %

    Dichte (g/cm³)9,78

    Schmelztemperatur (°C)271

  • C Kohlenstoff

    Hinzufügen

    Reinheit99,99 %

    Dichte (g/cm³)2,26

    Schmelztemperatur (°C)3550

  • IGZO Indium-Gallium-Zink-Oxid

    Hinzufügen

    Reinheit99,99 %

  • ITO Indium-Zinn-Oxid

    Hinzufügen

    Reinheit99,99 - 99,999 %

  • LSCO Lanthan-Strontium-Cobalt-Oxid

    Hinzufügen

    Reinheit99,9 - 99,99 %

  • LSMO Lanthan-Strontium-Manganit

    Hinzufügen

    Reinheit99,9 - 99,99 %

  • Mn Mangan

    Hinzufügen

    Reinheit99,99 %

    Dichte (g/cm³)7,30

    Schmelztemperatur (°C)1244

  • Pt Platin

    Hinzufügen

    Reinheit99,99 %

    Dichte (g/cm³)21,09

    Schmelztemperatur (°C)1768

  • PZT Blei-Zirkonat-Titanat

    Hinzufügen

    Reinheit99,9 - 99,99 %

  • Ru Ruthenium

    Hinzufügen

    Reinheit99,9 - 99,99 %

    Dichte (g/cm³)12,37

    Schmelztemperatur (°C)2334

  • SrRuO3 Strontiumruthenat

    Hinzufügen

    Reinheit99,9 - 99,99 %

  • V2O5 Vanadium (V) -oxid

    Hinzufügen

    Reinheit99,9 - 99,99 %

    Dichte (g/cm³)3,36

    Schmelztemperatur (°C)690

  • ZnS Zinksulfid

    Hinzufügen

    Reinheit99,9 - 99,99 %

    Dichte (g/cm³)4,09

    Schmelztemperatur (°C)1830

  • ZnSe Zinkselenid

    Hinzufügen

    Reinheit99,9 - 99,99 %

    Dichte (g/cm³)5,27

    Schmelztemperatur (°C)1525

Zubehör

  • MB3816 Membran Box 34 × 34

    Hinzufügen
    Artikel-Nr.Maße
    (Membran) [mm]
    Maße
    (außen) [mm]
    Mindest-
    bestellmenge
    MB381634 × 3438 × 38 × 16
  • MB5525 Membran Box 43 × 43

    Hinzufügen
    Artikel-Nr.Maße
    (Membran) [mm]
    Maße
    (außen) [mm]
    Mindest-
    bestellmenge
    MB552543 × 4355 × 55 × 25
  • MB10050 Membran Box 81 × 81

    Hinzufügen
    Artikel-Nr.Maße
    (Membran) [mm]
    Maße
    (außen) [mm]
    Mindest-
    bestellmenge
    MB1005081 × 81100 × 100 × 50
  • MB150100 Membran Box 125 × 125

    Hinzufügen
    Artikel-Nr.Maße
    (Membran) [mm]
    Maße
    (außen) [mm]
    Mindest-
    bestellmenge
    MB150100125 × 125150 × 150 × 100
  • GB5510A Gel Box – 55 × 55 × 10

    Hinzufügen
    Artikel-Nr.Maße
    (innen) [mm]
    Maße
    (außen) [mm]
    Tiefe
    (oben/unten) [mm]
    FarbeMindest-
    bestellmenge
    GB5510A51 × 51 × 755 × 55 × 105 / 5klar / schwarz / gemischt
  • GB7515 Gel Box – 75 × 55 × 15

    Hinzufügen
    Artikel-Nr.Maße
    (innen) [mm]
    Maße
    (außen) [mm]
    Tiefe
    (oben/unten) [mm]
    FarbeMindest-
    bestellmenge
    GB751572 × 51 × 1275 × 55 × 157,5 / 7,5klar / schwarz / gemischt
  • GB8512 Gel Box – 85 × 85 × 12

    Hinzufügen
    Artikel-Nr.Maße
    (innen) [mm]
    Maße
    (außen) [mm]
    Tiefe
    (oben/unten) [mm]
    FarbeMindest-
    bestellmenge
    GB851281 × 81 × 8,585 × 85 × 126 / 6klar / schwarz / gemischt
  • WTS1 Wafer Träger Ø 1

    Hinzufügen
    Artikel-Nr.Maße
    (Wafer) [Zoll]
    Maße
    (außen) [mm]
    Anzahl
    der Wafer
    FarbeMindest-
    bestellmenge
    WTS1Ø 1Ø 33 × 101halbdurchsichtig
  • WTS2 Wafer Träger Ø 2

    Hinzufügen
    Artikel-Nr.Maße
    (Wafer) [Zoll]
    Maße
    (außen) [mm]
    Anzahl
    der Wafer
    FarbeMindest-
    bestellmenge
    WTS2Ø 2Ø 60 × 111halbdurchsichtig
  • WTS4 Wafer Träger Ø 4

    Hinzufügen
    Artikel-Nr.Maße
    (Wafer) [Zoll]
    Maße
    (außen) [mm]
    Anzahl
    der Wafer
    FarbeMindest-
    bestellmenge
    WTS4Ø 4Ø 110 × 121halbdurchsichtig

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