Halbleiter

  • CdSe Cadmiumselenid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm

    ZüchtungsverfahrenPhysical Vapor Transport

    Orientierung(0001)
    (11-20)
    (10-10)

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturHexagonal

    Gitterkonstantea = 0,429 nm
    c = 0,702 nm

    Schmelztemperatur1268 °C

    Dichte5,81 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient6,26 × 10-6 K-1 @ a-Achse
    4,28 × 10-6 K-1 @ c-Achse

    Dielektrizitätskonstante10,2 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit0,04 W cm-1 K-1 @ 300 K

    Elektronenbeweglichkeit900 cm2 V-1 s-1 @ 300 K

    Bandlücke1,74 eV

  • CdS Cadmiumsulfid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
    max. 25 mm × 25 mm × 15 mm

    ZüchtungsverfahrenPhysical Vapor Transport

    Orientierung(0001)
    (11-20)
    (10-10)

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturHexagonal

    Gitterkonstantea = 0,414 nm
    c = 0,672 nm

    Schmelztemperatur1287 °C

    Dichte4,82 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient4,6 × 10-6 K-1 @ a-Achse
    2,5 × 10-6 K-1 @ c-Achse

    Dielektrizitätskonstante8,9 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit2,7 W cm-1 K-1 @ 300 K

    Elektronenbeweglichkeit250 cm2 V-1 s-1 @ 300 K

    Bandlücke2,42 eV

  • CdTe Cadmiumtellurid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm

    ZüchtungsverfahrenPhysical Vapor Transport

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,648 nm

    Schmelztemperatur1091 °C

    Dichte5,85 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient5,9 × 10-6 K-1

    Dielektrizitätskonstante11,1 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit6,2 W cm-1 K-1 @ 300 K

    Elektronenbeweglichkeit700 cm2 V-1 s-1 @ 300 K

    Bandlücke1,56 eV

  • GaSb Galliumantimonid

    Hinzufügen

    MaßeØ 2" - 3"

    ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski / Bridgman

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert, Zn, Te

    Oberfläche1-seitig poliert

    StrukturKubisch (Zinkblende)

    Gitterkonstantea = 0,609 nm

    Schmelztemperatur712 °C

    Dichte5,61 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient7,75 × 10-6K-1

    Dielektrizitätskonstante15,7 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit0,32 W cm-1K-1

    Elektronenbeweglichkeit3000 cm2 V-1s-1@ 300 K

    Bandlücke0,726 eV

  • GaAs Galliumarsenid

    Hinzufügen

    MaßeØ 2" - 3"

    ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski / Bridgman

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert, Si, Zn, Cr, Te

    Oberfläche1-seitig poliert

    StrukturKubisch (Zinkblende)

    Gitterkonstantea = 0,565 nm

    Schmelztemperatur1238 °C

    Dichte5,32 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient5,8 × 10-6K-1

    Dielektrizitätskonstante12,85 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit0,55 W cm-1K-1

    Elektronenbeweglichkeit8500 cm2 V-1s-1@ 300 K

    Bandlücke1,424 eV

  • GaP Galliumphosphid

    Hinzufügen

    MaßeØ 2"

    ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert, S

    Oberfläche1-seitig poliert

    StrukturKubisch (Zinkblende)

    Gitterkonstantea = 0,545 nm

    Schmelztemperatur1477 °C

    Dichte4,14 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient4,65 × 10-6K-1

    Dielektrizitätskonstante11,1 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit1,1 W cm-1K-1

    Elektronenbeweglichkeit250 cm2 V-1s-1@ 300 K

    Bandlücke2,26 eV

  • Ge Germanium

    Hinzufügen

    MaßeØ 2" - 4"

    ZüchtungsverfahrenCzochralski

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundoped, In, Ga, Sb

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,567 nm

    Schmelztemperatur937,4 °C

    Dichte5,323 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient2,6 × 10-6K-1

    Bandlücke0,67 eV

  • InSb Indiumantimonid

    Hinzufügen

    MaßeØ 2" - 3"

    ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert, Ge, Te

    Oberfläche1-seitig poliert

    StrukturKubisch (Zinkblende)

    Gitterkonstantea = 0,648 nm

    Schmelztemperatur527 °C

    Dichte5,77 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient5,37 × 10-6K-1

    Dielektrizitätskonstante16,8 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit0,18 W cm-1K-1

    Elektronenbeweglichkeit7,7×104cm2 V-1s-1@ 300 K

    Bandlücke0,17 eV

  • InAs Indiumarsenid

    Hinzufügen

    MaßeØ 2" - 4"

    ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert

    Oberfläche1-seitig poliert

    StrukturKubisch (Zinkblende)

    Gitterkonstantea = 0,606 nm

    Schmelztemperatur942 °C

    Dichte5,68 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient4,52 × 10-6K-1

    Dielektrizitätskonstante15,15 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit0,27 W cm-1K-1

    Elektronenbeweglichkeit≤ 4×104cm2 V-1s-1@ 300 K

    Bandlücke0,354 eV

  • InP Indiumphosphid

    Hinzufügen

    MaßeØ 2" - 3"

    ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert, Sn, S, Fe, Zn

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch (Zinkblende)

    Gitterkonstantea = 0,587 nm

    Schmelztemperatur1060 °C

    Dichte4,81 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient4,60 × 10-6K-1

    Dielektrizitätskonstante12,5 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit0,68 W cm-1K-1

    Elektronenbeweglichkeit 5400 cm2 V-1s-1@ 300 K

    Bandlücke1,344 eV

  • Si Silizium

    Hinzufügen

    MaßeØ 2" - 6" (max. Ø 8")

    ZüchtungsverfahrenCzochralski / Float-Zone

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundoped, B, P, As, Sb

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,543 nm

    Schmelztemperatur1414 °C

    Dichte2,329 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient5,7 × 10-6K-1

    Bandlücke1,1 eV

  • SiC Siliziumkarbid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,3 mm

    ZüchtungsverfahrenMOCVD

    Orientierung(0001)

    Stapelfolge6H-ABCACB
    4H-ABCA

    Oberfläche1-seitig poliert (Si Substrat)

    StrukturHexagonal

    Gitterkonstantea = 0,308 nm
    c = 1,508 nm

    Schmelztemperatur2700 °C

    Dichte3,217 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient10,3 × 10-6K-1

  • ZnSe Zinkselenid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm

    ZüchtungsverfahrenPhysical Vapor Transport

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,567 nm

    Schmelztemperatur1517 °C

    Dichte5,264 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient7,1 × 10-6K-1

    Dielektrizitätskonstante9,7 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit13 W cm-1K-1@ 300 K

    Elektronenbeweglichkeit500 cm2 V-1s-1@ 300 K

    Bandlücke2,82 eV

  • ZnS Zinksulfid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm

    ZüchtungsverfahrenBridgman

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,541 nm

    Schmelztemperatur1830 °C

    Dichte4,09 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient6,6 × 10-6K-1

    Dielektrizitätskonstante8,3 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit16,7 W cm-1K-1@ 300 K

    Elektronenbeweglichkeit340 cm2 V-1s-1@ 300 K

    Bandlücke3,54 eV

  • ZnTe Zinktellurid

    Hinzufügen

    Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm

    ZüchtungsverfahrenBridgman

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Oberfläche1- / 2-seitig poliert

    StrukturKubisch

    Gitterkonstantea = 0,610nm

    Schmelztemperatur1295 °C

    Dichte5,63 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient8,3 × 10-6K-1

    Dielektrizitätskonstante9,7 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit0,108 W cm-1K-1@ 300 K

    Elektronenbeweglichkeit350 cm2 V-1s-1@ 300 K

    Bandlücke2,23 eV

Kristalle sind eine der wichtigsten Säulen moderner Halbleiter- und optischer Technologien. Aufgrund der Verschiedenheit der Kristalleigenschaften und der Züchtungsmethoden ist Kristallzüchtung ein hoch interdisziplinäres Fachgebiet, das Expertise in der Physik, Chemie und Materialwissenschaft nötig macht.

Als Repräsentant weltweit führender Kristallhersteller bietet Alineason eine breite Produktpalette von nahezu allen Kristallen mit technologischen Bedeutungen. Dazu gehören sowohl Bulk-Kristalle als auch einkristalline Wafer und Substrate. Je nach Ihren Anwendungen können Kristalle mit individuellen Maßen, Dotierungen und Orientierungen angefertigt werden.

Kategorie Spezifikationen

  • Wafer und Substrate aus elementaren und Verbindungs-Halbleitern
  • Spezifikationen über die Standardangebote hinaus (z.B. Maße, Politur, Orientierungen und Dotierungen) bitte auf Anfrage