• GaAs Galliumarsenid

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    MaßeØ 2" - 3"

    ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski / Bridgman

    Orientierung(100)
    (110)
    (111)

    Dotierungundotiert, Si, Zn, Cr, Te

    Oberfläche1-seitig poliert

    StrukturKubisch (Zinkblende)

    Gitterkonstantea = 0,565 nm

    Schmelztemperatur1238 °C

    Dichte5,32 g/cm3

    Wärmeausdehnungskoeffizient5,8 × 10-6K-1

    Dielektrizitätskonstante12,85 @ 300 K

    Wärmeleitfähigkeit0,55 W cm-1K-1

    Elektronenbeweglichkeit8500 cm2 V-1s-1@ 300 K

    Bandlücke1,424 eV