Maße10 mm × 10 mm × 0,3 mm

ZüchtungsverfahrenMOCVD

Orientierung(0001)

Stapelfolge6H-ABCACB
4H-ABCA

Oberfläche1-seitig poliert (Si Substrat)

StrukturHexagonal

Gitterkonstantea = 0,308 nm
c = 1,508 nm

Schmelztemperatur2700 °C

Dichte3,217 g/cm³

Wärmeausdehnungskoeffizient10,3 × 10^-6K^-1