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• Si Silizium

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  Reinheit99,999 %

  Dichte (g/cm³)2,32

  Schmelztemperatur (°C)1410

  Verdampfungstemperatur (°C)1337

  FormGranulat

• SZO Silizium-Zirconium-Oxid

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,99 %

• SiC Siliziumcarbid

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,999 %

  Dichte (g/cm³)3,22

  Schmelztemperatur (°C)2700

• SiO₂ Siliziumdioxid

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,999 %

  Dichte (g/cm³)2,65

  Schmelztemperatur (°C)1610

• SiO₂ Siliziumdioxid

  Hinzufügen
  Reinheit99,99 - 99,999 %

  Dichte (g/cm³)2,20

  Schmelztemperatur (°C)1610

  Verdampfungstemperatur (°C)1600 - 2200

  FormGranulat

• SiO₂ Siliziumdioxid (Quarz)

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  Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
  max. Ø 4"

  ZüchtungsverfahrenHydrothermal

  Orientierungx-, y-, z-cut
  30 ° < α < 42,7 °

  Oberfläche1- / 2-seitig poliert

  StrukturHexagonal

  Gitterkonstantea = 0,491 nm
  c = 0,541 nm

  Schmelztemperatur1610 °C

  Dichte2,684 g/cm³

  Wärmeausdehnungskoeffizientα₁₁ = 13,71 × 10^-6 K^-1
  α₃₃ = 7,480 × 10^-6 K^-1

  Brechungsindex1,52 @ 2,0531 µm

  Härte7 M

• SiC Siliziumkarbid

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  Maße10 mm × 10 mm × 0,3 mm

  ZüchtungsverfahrenMOCVD

  Orientierung(0001)

  Stapelfolge6H-ABCACB
  4H-ABCA

  Oberfläche1-seitig poliert (Si Substrat)

  StrukturHexagonal

  Gitterkonstantea = 0,308 nm
  c = 1,508 nm

  Schmelztemperatur2700 °C

  Dichte3,217 g/cm³

  Wärmeausdehnungskoeffizient10,3 × 10^-6K^-1

• SiO Siliziummonooxid

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,99 %

  Dichte (g/cm³)2,13

  Schmelztemperatur (°C)1702

• SiO Siliziummonooxid

  Hinzufügen
  Reinheit99,99 - 99,999 %

  Dichte (g/cm³)2,10

  Schmelztemperatur (°C)Sublimation

  Verdampfungstemperatur (°C)1200 - 1600

  FormGranulat

• Si₃N₄ Siliziumnitrid

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,99 %

  Dichte (g/cm³)3,44

  Schmelztemperatur (°C)1900

• Si₃N₄ Siliziumnitrid

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,999 %

  Dichte (g/cm³)3,44

  Schmelztemperatur (°C)1900

  Verdampfungstemperatur (°C)800

  FormGranulat

• Sr_xBa_1-xNb₂O₆ Strontium-Barium-Niobat (SBN)

  Hinzufügen
  Maßemax. 20 mm × 20 mm × 1 mm

  ZüchtungsverfahrenCzochralski

  Orientierung(100)

  Dotierungundotiert

  Oberfläche1- / 2-seitig poliert

  Stoichiometry0,60 < x < 0,75

  StrukturTetragonal

  Gitterkonstantea = 0,395 nm
  b = 1,246 nm

  Schmelztemperatur1500 °C

  Dichte5,40 g/cm³

  Dielektrizitätskonstanteε₁₁ = 450
  ε₃₂ = 900

  Brechungsindexn₀ = 2,312
  n_e = 2,273

  Härte5,5 M

• SrLaGaO₄ Strontium-Lanthan-Gallat

  Hinzufügen
  Maßemax. Ø 1"

  ZüchtungsverfahrenCzochralski

  Orientierung(100)
  (110)
  (001)

  Dotierungundotiert

  Oberfläche1- / 2-seitig poliert

  StrukturTetragonal

  Gitterkonstantea = 0,384 nm
  c = 1,268

  Schmelztemperatur1600 °C

  Dichte4,88 g/cm³

  Wärmeausdehnungskoeffizient10 × 10^-6 K^-1

  Dielektrizitätskonstante22

• SrF₂ Strontiumfluorid

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  Reinheit99,9 - 99,99 %

  Dichte (g/cm³)4,26

  Schmelztemperatur (°C)1450

• SrF₂ Strontiumfluorid

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,99 %

  Dichte (g/cm³)4,26

  Schmelztemperatur (°C)1450

  Verdampfungstemperatur (°C)1200

  FormGranulat

• SrRuO₃ Strontiumruthenat

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,99 %