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• Eu₂O₃ Europiumoxid

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,99 %

  Dichte (g/cm³)7,42

  Schmelztemperatur (°C)2350

  Verdampfungstemperatur (°C)1600

  FormGranulat / Plättchen

• Gd Gadolinium

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,99 %

  Dichte (g/cm³)7,90

  Schmelztemperatur (°C)1313

• Gd Gadolinium

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,99 %

  Dichte (g/cm³)7,90

  Schmelztemperatur (°C)1311

  Verdampfungstemperatur (°C)1175

  FormGranulat

• Gd₃Ga₅O₁₂ Gadolinium-Gallium-Granat (GGG)

  Hinzufügen
  Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm
  max. Ø 3'' × 100 mm

  ZüchtungsverfahrenCzochralski

  Orientierung(111)

  Dotierungundotiert

  Oberfläche1- / 2-seitig poliert

  StrukturKubisch

  Gitterkonstantea = 1,238 nm

  Schmelztemperatur1750 °C

  Dichte7,08 g/cm³

  Wärmeausdehnungskoeffizient8,2 × 10^-6 K^-1

  Dielektrizitätskonstante30

  Härte7,5 M

• Gd₂O₃ Gadoliniumoxid

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,99 %

  Dichte (g/cm³)7,40

  Schmelztemperatur (°C)2310

• Gd₂O₃ Gadoliniumoxid

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,99 %

  Dichte (g/cm³)7,40

  Schmelztemperatur (°C)2310

  Verdampfungstemperatur (°C)2200

  FormGranulat / Plättchen

• GZO Gallium-Zink-Oxid

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,99 %

• GaSb Galliumantimonid

  Hinzufügen
  MaßeØ 2" - 3"

  ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski / Bridgman

  Orientierung(100)
  (110)
  (111)

  Dotierungundotiert, Zn, Te

  Oberfläche1-seitig poliert

  StrukturKubisch (Zinkblende)

  Gitterkonstantea = 0,609 nm

  Schmelztemperatur712 °C

  Dichte5,61 g/cm³

  Wärmeausdehnungskoeffizient7,75 × 10^-6K^-1

  Dielektrizitätskonstante15,7 @ 300 K

  Wärmeleitfähigkeit0,32 W cm^-1K^-1

  Elektronenbeweglichkeit3000 cm² V^-1s^-1@ 300 K

  Bandlücke0,726 eV

• GaAs Galliumarsenid

  Hinzufügen
  MaßeØ 2" - 3"

  ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski / Bridgman

  Orientierung(100)
  (110)
  (111)

  Dotierungundotiert, Si, Zn, Cr, Te

  Oberfläche1-seitig poliert

  StrukturKubisch (Zinkblende)

  Gitterkonstantea = 0,565 nm

  Schmelztemperatur1238 °C

  Dichte5,32 g/cm³

  Wärmeausdehnungskoeffizient5,8 × 10^-6K^-1

  Dielektrizitätskonstante12,85 @ 300 K

  Wärmeleitfähigkeit0,55 W cm^-1K^-1

  Elektronenbeweglichkeit8500 cm² V^-1s^-1@ 300 K

  Bandlücke1,424 eV

• Ga₂O₃ Galliumoxid

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,99 %

  Dichte (g/cm³)5,88

  Schmelztemperatur (°C)1725

• GaP Galliumphosphid

  Hinzufügen
  MaßeØ 2"

  ZüchtungsverfahrenLiquid Encapsulated Czochralski

  Orientierung(100)
  (110)
  (111)

  Dotierungundotiert, S

  Oberfläche1-seitig poliert

  StrukturKubisch (Zinkblende)

  Gitterkonstantea = 0,545 nm

  Schmelztemperatur1477 °C

  Dichte4,14 g/cm³

  Wärmeausdehnungskoeffizient4,65 × 10^-6K^-1

  Dielektrizitätskonstante11,1 @ 300 K

  Wärmeleitfähigkeit1,1 W cm^-1K^-1

  Elektronenbeweglichkeit250 cm² V^-1s^-1@ 300 K

  Bandlücke2,26 eV

• GaP Galliumphosphid

  Hinzufügen
  Reinheit99,9 - 99,999 %

  Dichte (g/cm³)4,10

  Schmelztemperatur (°C)1540

• Ge Germanium

  Hinzufügen
  MaßeØ 2" - 4"

  ZüchtungsverfahrenCzochralski

  Orientierung(100)
  (110)
  (111)

  Dotierungundoped, In, Ga, Sb

  Oberfläche1- / 2-seitig poliert

  StrukturKubisch

  Gitterkonstantea = 0,567 nm

  Schmelztemperatur937,4 °C

  Dichte5,323 g/cm³

  Wärmeausdehnungskoeffizient2,6 × 10^-6K^-1

  Bandlücke0,67 eV

• Ge Germanium

  Hinzufügen
  Reinheit99,99 - 99,9999 %

  Dichte (g/cm³)5,32

  Schmelztemperatur (°C)938

• Ge Germanium

  Hinzufügen
  Reinheit99,999 %

  Dichte (g/cm³)5,32

  Schmelztemperatur (°C)937

  Verdampfungstemperatur (°C)1167

  FormGranulat

• Au Gold

  Hinzufügen
  Maße10 mm × 10 mm × 0,5 mm

  ZüchtungsverfahrenBridgman

  Orientierung(100)
  (110)
  (111)

  Stapelfolge1-seitig poliert

  StrukturKubisch (FCC)

  Gitterkonstantea = 0,408 nm

  Schmelztemperatur1064 °C

  Dichte19,3 g/cm³

  Wärmeausdehnungskoeffizient14,2 × 10^-6 K^-1

  Wärmeleitfähigkeit318 W cm-1 K-1

  Härte2,5 M

  Spezifische Widerstand22,14 nΩ m @ 20 °C